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[오늘경제] SK하이닉스, 3세대 10나노급(1z) D램 개발
[오늘경제] SK하이닉스, 3세대 10나노급(1z) D램 개발
  • 송예담 기자
  • 승인 2019.10.21 15:32
  • 댓글 0
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SK하이닉스 3세대 10나노급 DDR4 D램
[사진=SK하이닉스 제공]

[오늘경제 = 송예담 기자] 한눈에 보는 오늘경제,

SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한  16기가비트(Gbit) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 통상 메모리 제품은 10나노마다 공정고도화에 따라 x, y, z, a 등 단계로 나눈다. 

이번에 SK하이닉스가 개발한 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 증가했다.

데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. 또, 초고가인 EUV(극자외선) 노광공정 없이 제품을 생산하면서 원가 경쟁력도 갖췄다고 회사는 설명했다.

특히 3세대 제품은 이전 세대 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량을 극대화했다. 정전용량은 정보를 읽고 쓰기에 필요한 전하를 저장하는 능력을 뜻한다. 또, 새로운 설계기술을 도입해 동작 안정성도 높였다.

이정훈 D램개발사업 1z TF장은 “고성능·고용량 D램을 찾는 고객의 수요 변화에 가장 적합한 제품”이라며 “연내 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 고대역폭메모리 HBM3 등 다양한 응용처에 사용될 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다.

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